适用于对重掺杂碳化硅(SiC)表面沉积的过渡金属进行退火,形成良好的欧姆接触。
可加工品圆尺寸 | 4inch、6inch、8inch |
薄片退火 | 支持 |
光斑整形 | 平顶光 |
光斑均匀性 | >95% |
能量稳定性 | ≤1% |
比电阻接触率 | ≤5×10^(-5)Ω.cm² |
表面温度 | Amnealedgurtece>1500℃.NOn=ann日ledsurlaco<100℃ |
腔体含氧量 | N2/Ar: 99.99%,<100ppm@25s |
运动平台精度 | 直线度:±1μm 重复定位精度:±1μm |
品圆传输 | Automatic transferring (compatible to wafer or wafer/w carrier) |