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PECVD

PECVD

产品特点 1.成熟的高产能工艺、双模温度控制技术、薄膜硅保护技术；
2.石墨舟电极技术：前电极面接触，可定期更换清洗电极块，尾电极炉管外可调，加大电极尺寸及优化电极材料，良好解决高频报警问题；
3.快速降温炉体：最新专利技术使炉体温度快速降到所需温度，降温速率提升25%以上，明显提升炉管内温度均匀性；
4.专利储舟位并行散热方式：提升降温效果，缩短降温时间15%以上，同时避开底部从操作台前面进气，提高操作台内部洁净度；
5.快速自适应压力闭环控制技术；
6.等离子放电场检测技术；
7.装卸片防撞舟技术；
8.一体化工控机+模块化工艺控制软件；
9.全面的停电安全处理和法兰水异常保护。

产品应用

在硅片表面淀积一层厚度约为75-140nm的减反射氮化硅膜(SixNy)，同时利用在淀积过程中产生的活性H+离子，对硅片表面和内部进行钝化处理。在体现减少光反射的同时，也提高了硅片的少子寿命，最终直接体现在晶体硅电池的转换效率，主要用在PERC/TOPCon电池正背面氮化硅膜生长。

产品参数

项目技术指标
成膜种类AlO,SiO,SiON,SiN,SiC
装片量768片/批(182mm),616片/批(210mm),500片/批(230mm)
氧化铝膜厚均匀性片内≤6%片间≤6%批间≤5%(182片)
氧化铝折射率1.65(±0.05)
UP-TIME≥98%
工作温度范围100~600℃
温度控制9点控温，内外双模控制
升温方式自动斜率升温及快速恒温功能
降温方式最新专利技术，9温区分段控制主动降温炉体
恒温区精度及长度±2°C/3200mm(500°C)
单点温度稳定度<±1°C/4h(500°C)
升温时间RT→450℃≤45min
温度控制双模精确控制
系统极限真空度<3Pa
系统漏气率停泵关阀后压力升率<1Pa/min
压力控制方式快速调整全自动闭环
工艺控制方式工艺过程全自动控制，多重安全连锁报警
人机交互界面LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能
MES/CCRM具有


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