适用于半导体和光伏领域,针对于光伏领域TOPCon工艺电池,LPCVD设备可一站式完成隧穿氧化层/Poly层的制备。热氧和淀积Poly层两个工艺合二为一能够大幅度提高产能,同时兼容i/d -Poly生长工艺。
项目 | 技术指标 |
成膜种类 | SiOx, i/d-Poly-Si |
装片尺寸 | 垂直装片方式:2880片/批(182mm),2200片/批(210mm) |
膜厚均匀性 | Si0x均匀性:厚度1-3nm可调,精度0.1nm,用抛光片测试SiOx厚度; |
UP-TIME | ≥95% |
工作温度范围 | 400-750℃ |
温度控制 | 6点控温,内外双模控制 |
升温方式 | 自动斜率升温及快速恒温功能 |
降温方式 | 最新专利技术,6温区分段控制主动降温炉体 |
恒温区精度及长度 | ±1℃/2800mm(550-700℃) |
单点温度稳定度 | 1±℃/6H |
升温时间 | RT→750℃≤45min |
降温速率 | ≥5℃/min |
温度控制 | 双模精确控制 |
系统极限真空度 | <3Pa |
系统漏气率 | 停泵关阀后压力升率<2Pa/min |
压力控制方式 | 快速调整全自动闭环 |
工艺控制式 | 工艺过程全自动控制,多重安全连锁报警 |
人机交互界面 | LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能 |
MES/CCRM | 具有 |